Name: SIHB21N65EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB21N65EF-GE3-ND
Price: 6.072 EUR
Availability: OutOfStock

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SIHB21N65EF-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIHB21N65EF-GE3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHB21N65EF-GE3
Description	MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	180mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2322 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	208W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	SIHB21

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	5,06000 €	5,06 €
50	2,67080 €	133,54 €
100	2,43950 €	243,95 €
500	2,03466 €	1 017,33 €
1 000	1,96135 €	1 961,35 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.