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TO-263-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
TO-263-3
TO-263-3

SIHB33N60E-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHB33N60E-GE3-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHB33N60E-GE3
Description
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
33 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
99mohms à 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3508 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
278W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
SIHB33
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0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
14,90000 €4,90 €
103,95300 €39,53 €
1002,87140 €287,14 €
5002,41052 €1 205,26 €
1 0002,38456 €2 384,56 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:4,90000 €
Prix unitaire avec TVA:5,88000 €
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