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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHD2N80E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHD2N80E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHD2N80E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 15 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 2,8 A (Tc) 62,5W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 800 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 2,75ohms à 1A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 19.6 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 315 pF @ 100 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 62,5W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-252AA | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,36000 € | 1,36 € |
| 10 | 0,98100 € | 9,81 € |
| 100 | 0,73260 € | 73,26 € |
| 500 | 0,59846 € | 299,23 € |
| 1 000 | 0,52839 € | 528,39 € |
| 3 000 | 0,46715 € | 1 401,45 € |
| 6 000 | 0,45211 € | 2 712,66 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,36000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,63200 € |
France