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Équivalent paramétrique

SIHD6N65ET1-GE3
Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 0,59780 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

SIHD6N65ET5-GE3
Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 0,57359 €
Fiche technique

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Littelfuse Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 2,48000 €
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IXFA16N60P3
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En stock: 0
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IXTA14N60P
Littelfuse Inc.
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Fiche technique
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TO-252
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SIHD6N65ET4-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHD6N65ET4-GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHD6N65ET4-GE3
Description
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
E
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
600mohms à 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
820 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
78W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
SIHD6
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,57359 €1 720,77 €
6 0000,55855 €3 351,30 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,57359 €
Prix unitaire avec TVA:0,68831 €