Name: SIHFL210TR-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHFL210TR-GE3TR-ND
Price: 0.96 EUR
Availability: InStock

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SIHFL210TR-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIHFL210TR-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIHFL210TR-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIHFL210TR-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHFL210TR-GE3
Description	MOSFET N-CHANNEL 200V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 960mA (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montage en surface SOT-223
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	960mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,5ohms à 580mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	140 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta), 3,1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA

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