SIHFR9120-GE3 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 0,76000 €
Fiche technique
SIHD5N80AE-GE3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIHFR9120-GE3

Numéro de produit DigiKey
742-SIHFR9120-GE3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHFR9120-GE3
Description
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal P 100 V 5,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
600mohms à 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
390 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,5W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
10,82000 €0,82 €
100,60200 €6,02 €
1000,40020 €40,02 €
5000,31000 €155,00 €
1 0000,28097 €280,97 €
3 0000,24408 €732,24 €
6 0000,22550 €1 353,00 €
12 0000,21470 €2 576,40 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:0,82000 €
Prix unitaire avec TVA:0,98400 €