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TO-247-3 AC EP
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SIHG21N65EF-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHG21N65EF-GE3-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHG21N65EF-GE3
Description
MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant TO-247AC
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIHG21N65EF-GE3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
180mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2322 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247AC
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
SIHG21
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
5002,13462 €1 067,31 €
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:2,13462 €
Prix unitaire avec TVA:2,56154 €