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IRFP254PBF
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SIHG22N60E-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHG22N60E-GE3-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHG22N60E-GE3
Description
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
20 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Trou traversant TO-247AC
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIHG22N60E-GE3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
180mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1920 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247AC
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
SIHG22
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
14,00000 €4,00 €
252,58600 €64,65 €
1002,18620 €218,62 €
5001,96230 €981,15 €
1 0001,71860 €1 718,60 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:4,00000 €
Prix unitaire avec TVA:4,80000 €