Name: SIJK140E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK140E-T1-GE3TR-ND
Price: 7.788 EUR
Availability: OutOfStock

Nouveaux produits chez DigiKey

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SIJK140E-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIJK140E-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIJK140E-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIJK140E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIJK140E-T1-GE3
Description	N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 140A (Ta), 795A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Montage en surface PowerPAK®10 x 12
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen V
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	140A (Ta), 795A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,47mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	470 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	18510 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	17W (Ta), 536W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK®10 x 12
Boîtier	8-PowerSFN