Name: SIR5112DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5112DP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.4 EUR
Availability: OutOfStock

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SIR5112DP-T1-RE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIR5112DP-T1-RE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIR5112DP-T1-RE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIR5112DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIR5112DP-T1-RE3
Description	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 12,6A (Ta), 42,6A (Tc) 5W (Ta), 56,8W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIR5112DP-T1-RE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12,6A (Ta), 42,6A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	7,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	14,9mohms à 10 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	790 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	5W (Ta), 56,8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SIR5112