
SIR882ADP-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIR882ADP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIR882ADP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIR882ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIR882ADP-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 60 A (Tc) 5,4W (Ta), 83W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIR882ADP-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 8,7mohms à 20A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,8V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 60 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1975 pF @ 50 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 5,4W (Ta), 83W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® SO-8 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 2,38000 € | 2,38 € |
10 | 1,65700 € | 16,57 € |
100 | 1,25250 € | 125,25 € |
500 | 1,06494 € | 532,47 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3 000 | 0,87004 € | 2 610,12 € |
Prix unitaire sans TVA: | 2,38000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 2,85600 € |