
SIRA80DP-T1-RE3 | |
---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIRA80DP-T1-RE3TR-ND - Bande et bobine SIRA80DP-T1-RE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIRA80DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIRA80DP-T1-RE3 |
Description | MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 100 A (Tc) 104W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIRA80DP-T1-RE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 0,62mohms à 20A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 188 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | +20V, -16V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 9530 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 104W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® SO-8 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
---|---|---|
1 | 1,73000 € | 1,73 € |
10 | 1,21800 € | 12,18 € |
100 | 1,01050 € | 101,05 € |
500 | 0,95376 € | 476,88 € |
1 000 | 0,79484 € | 794,84 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
---|---|---|
3 000 | 0,62822 € | 1 884,66 € |
6 000 | 0,55103 € | 3 306,18 € |
Prix unitaire sans TVA: | 1,73000 € |
---|---|
Prix unitaire avec TVA: | 2,07600 € |