Name: SIRS5100DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.78 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIRS5100DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIRS5100DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIRS5100DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIRS5100DP-T1-GE3
Description	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 39A (Ta), 225A (Tc) 7,4W (Ta), 240W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIRS5100DP-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	39A (Ta), 225A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	7,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,5mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5400 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	7,4W (Ta), 240W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SIRS5100