
SIS410DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIS410DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS410DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS410DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS410DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 19 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 20 V 35 A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS410DN-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 4,8mohms à 20A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 41 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1600 pF @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 3,8W (Ta), 52W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 1,07000 € | 1,07 € |
10 | 0,74800 € | 7,48 € |
100 | 0,58290 € | 58,29 € |
500 | 0,45860 € | 229,30 € |
1 000 | 0,41854 € | 418,54 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3 000 | 0,36637 € | 1 099,11 € |
6 000 | 0,34205 € | 2 052,30 € |
9 000 | 0,33516 € | 3 016,44 € |
Prix unitaire sans TVA: | 1,07000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 1,28400 € |