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Substituts disponibles:
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SIS890DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIS890DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS890DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS890DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS890DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 30 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS890DN-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 23,5mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 29 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 802 pF @ 50 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,06000 € | 1,06 € |
| 10 | 0,85700 € | 8,57 € |
| 100 | 0,68540 € | 68,54 € |
| 500 | 0,57086 € | 285,43 € |
| 1 000 | 0,53247 € | 532,47 € |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,46224 € | 1 386,72 € |
| 6 000 | 0,43502 € | 2 610,12 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,06000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,27200 € |
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