Name: SISF04DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.944 EUR
Availability: OutOfStock

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SISF04DN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISF04DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISF04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISF04DN-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 30A (Ta), 108A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montage en surface powerPAK® 1212-8SCD
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SISF04DN-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen IV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 à canal N (double), drain commun
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	4mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	60nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2600pF à 15V
Puissance - Max.	5,2W (Ta), 69,4W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	powerPAK® 1212-8SCD
Boîtier fournisseur	powerPAK® 1212-8SCD
Numéro de produit de base	SISF04