Name: SISH615ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH615ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 0.828 EUR
Availability: OutOfStock

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SISH615ADN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SISH615ADN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISH615ADN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISH615ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SISH615ADN-T1-GE3
Description	MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 22,1A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SH
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen III
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	22,1A (Ta), 35A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,4mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	183 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5590 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® 1212-8SH
Boîtier	PowerPAK® 1212-8SH
Numéro de produit de base	SISH615