
SIZ254DT-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SIZ254DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIZ254DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIZ254DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIZ254DT-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 70V 11,7A (Ta), 32,5A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Montage en surface 8-PowerPair® (3,3x3,3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIZ254DT-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 70V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 11,7A (Ta), 32,5A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 16,1mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 20nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 795pF à 35V, 765pF à 35V | |
Puissance - Max. | 4,3W (Ta), 33W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-PowerWDFN | |
Boîtier fournisseur | 8-PowerPair® (3,3x3,3) | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3 000 | 0,40583 € | 1 217,49 € |
6 000 | 0,37819 € | 2 269,14 € |
9 000 | 0,37380 € | 3 364,20 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 1,83000 € | 1,83 € |
10 | 1,15700 € | 11,57 € |
100 | 0,77610 € | 77,61 € |
500 | 0,61262 € | 306,31 € |
1 000 | 0,56001 € | 560,01 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 1,50000 € | 1,50 € |
10 | 0,95200 € | 9,52 € |
100 | 0,63850 € | 63,85 € |
500 | 0,50404 € | 252,02 € |
1 000 | 0,46077 € | 460,77 € |
Prix unitaire sans TVA: | 1,50000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 1,80000 € |