Name: SIZF5300DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF5300DT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.892 EUR
Availability: InStock

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SIZF5300DT-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIZF5300DT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIZF5300DT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIZF5300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIZF5300DT-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 35A (Ta), 125A (Tc) 4,5W (Ta), 56,8W (Tc) Montage en surface PowerPAIR® 3x3FS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIZF5300DT-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen V
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,43mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	32nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1480pF à 15V
Puissance - Max.	4,5W (Ta), 56,8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	12-PowerPair™
Boîtier fournisseur	PowerPAIR® 3x3FS
Numéro de produit de base	SIZF5300