Name: SIZF906BDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF906BDT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.844 EUR
Availability: InStock

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SIZF906BDT-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIZF906BDT-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIZF906BDT-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIZF906BDT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIZF906BDT-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) 4,5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Montage en surface 8-PowerPair® (6x5)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET® Gen IV
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double), schottky
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,1mohms à 15A, 10V, 0,68mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	49nC à 10V, 165nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1630pF à 15V, 5550pF à 15V
Puissance - Max.	4,5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerWDFN
Boîtier fournisseur	8-PowerPair® (6x5)
Numéro de produit de base	SIZF906