Name: SQ2303ES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ2303ES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.48 EUR
Availability: InStock

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SQ2303ES-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQ2303ES-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQ2303ES-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQ2303ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ2303ES-T1_GE3
Description	MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 2,5 A (Tc) 1,9W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	170mohms à 1,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	210 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,9W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	SQ2303

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Date de dernière disponibilité : 10/11/2025

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Bande et bobine