Name: SQ2325ES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2325ES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.696 EUR
Availability: OutOfStock

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SQ2325ES-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQ2325ES-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQ2325ES-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQ2325ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ2325ES-T1_GE3
Description	MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 150 V 840mA (Tc) 3W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQ2325ES-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	840mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,77ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	250 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TA)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	SQ2325