Name: SQ2398ES-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2398ES-T1_BE3TR-ND
Price: 0.804 EUR
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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SQ2398ES-T1_BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQ2398ES-T1_BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQ2398ES-T1_BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQ2398ES-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ2398ES-T1_BE3
Description	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 1,6 A (Tc) 2W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQ2398ES-T1_BE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	300mohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	152 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	SQ2398