SQ3427EV-T1_GE3 {Vishay | {Transistors - FET, MOSFET - Simples

SQ3427EV-T1_GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Équivalent paramétrique

Vishay Siliconix

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Prix unitaire : 0,61000 €

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SQ3427EV-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQ3427EV-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQ3427EV-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQ3427EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ3427EV-T1_GE3
Description	MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 5,3 A (Tc) 5W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQ3427EV-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	95mohms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1000 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-TSOP
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	SQ3427