Name: SQA410CEJW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQA410CEJW-T1_GE3TR-ND
Price: 0.54 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SQA410CEJW-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQA410CEJW-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQA410CEJW-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQA410CEJW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQA410CEJW-T1_GE3
Description	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 7,8 A (Tc) 13,6W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SC-70-6
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	28mohms à 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	525 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	13,6W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SC-70-6
Boîtier	PowerPAK® SC-70-6