SQD30N05-20L_T4GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Vishay Siliconix
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Prix unitaire : 1,51000 €
Fiche technique
TO-252
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SQD30N05-20L_T4GE3

Numéro de produit DigiKey
742-SQD30N05-20L_T4GE3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SQD30N05-20L_T4GE3
Description
MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Référence client
Description détaillée
Canal N 55 V 30 A (Tc) 50W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
20mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1175 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.