Name: SQD40N06-14L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD40N06-14L_GE3TR-ND
Price: 2.088 EUR
Availability: OutOfStock

Besoin d'aide?

Commentaires

À propos de DigiKey Marketplace Vendre sur DigiKey.com Emploi Plan du site Solutions numériques Salle de presse

Aide et support Statut de la commande Options/frais d'expédition Retours et problèmes de commande

Chat (+33) 4 43 83 80 90 france.support@digikey.com Co-Browse

SQD40N06-14L_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQD40N06-14L_GE3TR-ND - Bande et bobine SQD40N06-14L_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQD40N06-14L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQD40N06-14L_GE3
Description	MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 40 A (Tc) 75W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	14mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2105 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	75W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	SQD40

Quantité	Prix unitaire	Prix total
2 000	0,62683 €	1 253,66 €
4 000	0,60127 €	2 405,08 €

Prix unitaire sans TVA:	1,74000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,08800 €

SQD40N06-14L_GE3