Name: SQD50P04-09L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50P04-09L_GE3TR-ND
Price: 3.576 EUR
Availability: OutOfStock

Besoin d'aide?

Commentaires

À propos de DigiKey Marketplace Vendre sur DigiKey.com Emploi Plan du site Solutions numériques Salle de presse

Aide et support Statut de la commande Options/frais d'expédition Retours et problèmes de commande

Chat (+33) 4 43 83 80 90 france.support@digikey.com Co-Browse

SQD50P04-09L_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQD50P04-09L_GE3TR-ND - Bande et bobine SQD50P04-09L_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQD50P04-09L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQD50P04-09L_GE3
Description	MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 50 A (Tc) 136W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQD50P04-09L_GE3 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,4mohms à 17A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	155 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6675 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	SQD50

Prix unitaire sans TVA:	2,98000 €
Prix unitaire avec TVA:	3,57600 €

SQD50P04-09L_GE3