Name: SQD50P04-13L_T4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQD50P04-13L_T4GE3TR-ND
Price: 1.692 EUR
Availability: InStock

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SQD50P04-13L_T4GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQD50P04-13L_T4GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQD50P04-13L_T4GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQD50P04-13L_T4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQD50P04-13L_T4GE3
Description	P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 50 A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQD50P04-13L_T4GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	13mohms à 17A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3590 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63