Name: SQJ500AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ500AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.22 EUR
Availability: OutOfStock

SQJ500AEP-T1_GE3 est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Direct

Vishay Siliconix

En stock: 0

Prix unitaire : 1,85000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SQJ500AEP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQJ500AEP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ500AEP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ500AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ500AEP-T1_GE3
Description	MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 30 A (Tc) 48W Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQJ500AEP-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	-
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	27mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	38,1nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1850pF à 20V
Puissance - Max.	48W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	powerPAK® SO-8 double
Boîtier fournisseur	powerPAK® SO-8 double
Numéro de produit de base	SQJ500