Name: SQJ840EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ840EP-T1_GE3-ND
Price: 0.68051 EUR
Availability: OutOfStock

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SQJ840EP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQJ840EP-T1_GE3-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ840EP-T1_GE3
Description	MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 30 A (Tc) 46W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,3mohms à 10,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1900 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	46W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SQJ840

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Bande et bobine