
SQJB00EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJB00EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJB00EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJB00EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJB00EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 27 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 30 A (Tc) 48W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJB00EP-T1_GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 60V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 30 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 13mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 35nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1700pF à 25V | |
Puissance - Max. | 48W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® SO-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® SO-8 double | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 1,29000 € | 1,29 € |
10 | 0,90300 € | 9,03 € |
100 | 0,68080 € | 68,08 € |
500 | 0,53880 € | 269,40 € |
1 000 | 0,49631 € | 496,31 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3 000 | 0,43514 € | 1 305,42 € |
6 000 | 0,42358 € | 2 541,48 € |
Prix unitaire sans TVA: | 1,29000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 1,54800 € |