
SQJQ910EL-T1_GE3 | |
---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQJQ910EL-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJQ910EL-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJQ910EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJQ910EL-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 27 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 70 A (Tc) 187W Montage en surface powerPAK® 8 x 8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJQ910EL-T1_GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 100V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 70 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 8,6mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 58nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2832pF à 50V | |
Puissance - Max. | 187W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® 8 x 8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® 8 x 8 double | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
---|---|---|
1 | 2,90000 € | 2,90 € |
10 | 1,88800 € | 18,88 € |
100 | 1,31370 € | 131,37 € |
500 | 1,12948 € | 564,74 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
---|---|---|
2 000 | 0,92318 € | 1 846,36 € |
4 000 | 0,92278 € | 3 691,12 € |
Prix unitaire sans TVA: | 2,90000 € |
---|---|
Prix unitaire avec TVA: | 3,48000 € |