
SQS481ENW-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQS481ENW-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQS481ENW-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQS481ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQS481ENW-T1_GE3 |
Description | MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 150 V 4,7 A (Tc) 62,5W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQS481ENW-T1_GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 150 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 1,095ohms à 5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 11 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 385 pF @ 75 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 62,5W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 0,95000 € | 0,95 € |
10 | 0,64200 € | 6,42 € |
100 | 0,48630 € | 48,63 € |
500 | 0,39020 € | 195,10 € |
1 000 | 0,34647 € | 346,47 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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3 000 | 0,31049 € | 931,47 € |
6 000 | 0,28805 € | 1 728,30 € |
9 000 | 0,27661 € | 2 489,49 € |
15 000 | 0,27347 € | 4 102,05 € |
Prix unitaire sans TVA: | 0,95000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 1,14000 € |