SUD09P10-195-BE3 Vishay | Transistors - FET, MOSFET - Simples

SUD09P10-195-BE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Équivalent paramétrique

Vishay Siliconix

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Prix unitaire : 1,01000 €

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SUD09P10-195-BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SUD09P10-195-BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SUD09P10-195-BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SUD09P10-195-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUD09P10-195-BE3
Description	MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 8,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 32,1W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	195mohms à 3,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	34.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1055 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 32,1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	SUD09