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SUD19N20-90-BE3
Vishay Siliconix
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Équivalent paramétrique

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SIHD5N80AE-GE3
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SUD19N20-90-T4-E3

Numéro de produit DigiKey
SUD19N20-90-T4-E3-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SUD19N20-90-T4-E3
Description
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
22 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 200 V 19 A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
19 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
90mohms à 5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1800 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
SUD19
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5001,06338 €2 658,45 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:1,06338 €
Prix unitaire avec TVA:1,27606 €