SUD40N10-25-T4-E3 Vishay | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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SUD40N10-25-E3

Vishay Siliconix

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SUD40N10-25-T4-E3
Numéro de produit DigiKey	SUD40N10-25-T4-E3-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUD40N10-25-T4-E3
Description	MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 40 A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25mohms à 40A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2400 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	SUD40

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