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SIHD5N80AE-GE3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SUD50N03-06AP-E3

Numéro de produit DigiKey
SUD50N03-06AP-E3TR-ND - Bande et bobine
SUD50N03-06AP-E3CT-ND - Bande coupée (CT)
SUD50N03-06AP-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SUD50N03-06AP-E3
Description
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 90 A (Tc) 10W (Ta), 83W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SUD50N03-06AP-E3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
5,7mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3800 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
10W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252AA
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.