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SQM120P04-04L_GE3
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SUM110N04-03P-E3

Numéro de produit DigiKey
SUM110N04-03P-E3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SUM110N04-03P-E3
Description
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Référence client
Description détaillée
Canal N 40 V 110 A (Tc) 3,75W (Ta), 375W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
110 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3,1mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6500 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,75W (Ta), 375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
SUM110
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Devis du fabricant requis
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