Name: SUP85N10-10-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP85N10-10-E3-ND
Price: 6.696 EUR
Availability: OutOfStock

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SUP85N10-10-E3
Numéro de produit DigiKey	SUP85N10-10-E3-ND
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUP85N10-10-E3
Description	MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 85 A (Tc) 3,75W (Ta), 250W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SUP85N10-10-E3 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	85 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10,5mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6550 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,75W (Ta), 250W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220AB
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	SUP85

Prix unitaire sans TVA:	5,58000 €
Prix unitaire avec TVA:	6,69600 €

SUP85N10-10-E3