SIHP23N60E-GE3
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SUP90100E-GE3

Numéro de produit DigiKey
742-SUP90100E-GE3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SUP90100E-GE3
Description
N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
28 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 200 V 150 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
7,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
10,9mohms à 16A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3930 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
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Tous les prix sont en EUR
En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
13,37000 €3,37 €
102,49800 €24,98 €
1001,84790 €184,79 €
5001,52400 €762,00 €
1 0001,41999 €1 419,99 €
2 0001,40174 €2 803,48 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:3,37000 €
Prix unitaire avec TVA:4,04400 €