
C2M0280120D | |
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Numéro de produit DigiKey | C2M0280120D-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | C2M0280120D |
Description | SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 10 A (Tc) 62,5W (Tc) Trou traversant TO-247-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1200 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 20V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 370mohms à 6A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,8V à 1,25mA (typ.) | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 20.4 nC @ 20 V | |
Vgs (max.) | +25V, -10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 259 pF @ 1000 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 62,5W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | TO-247-3 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |