2N7002-13-F Diodes | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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Fiche technique

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2N7002-13-F
Numéro de produit DigiKey	31-2N7002-13-F-ND
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	2N7002-13-F
Description	DIODE
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 170mA (Ta) 370mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	170mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0.23 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	50 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	370mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	2N7002

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