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8 SO
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DMG4710SSS-13

Numéro de produit DigiKey
DMG4710SSS-13DI-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMG4710SSS-13
Description
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SOP
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 8,8 A (Ta) 1,54W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
12,5mohms à 11,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1849 pF @ 15 V
Fonction FET
Diode Schottky (substrat)
Dissipation de puissance (max.)
1,54W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-SO
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base
DMG4710
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