Name: DMP2033UVT-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP2033UVT-13-ND
Price: 0.1332 EUR
Availability: OutOfStock

DMP2033UVT-13 est disponible à l'achat mais n'est pas normalement stocké.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

Diodes Incorporated

En stock: 0

Prix unitaire : 0,53000 €

Similaire

onsemi

En stock: 133

Prix unitaire : 0,75000 €

Similaire

Vishay Siliconix

En stock: 1

Prix unitaire : 1,09000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMP2033UVT-13
Numéro de produit DigiKey	DMP2033UVT-13-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMP2033UVT-13
Description	MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 4,2 A (Ta) 1,2W (Ta) Montage en surface TSOT-26
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 4,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	900mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	845 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TSOT-26
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	DMP2033