Name: ZXMC10A816N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMC10A816N8DITR-ND
Price: 1.596 EUR
Availability: OutOfStock

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ZXMC10A816N8TC
Numéro de produit DigiKey	ZXMC10A816N8DITR-ND - Bande et bobine ZXMC10A816N8DICT-ND - Bande coupée (CT) ZXMC10A816N8DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZXMC10A816N8TC
Description	MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 2A 1,8W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2A
Rds On (max.) à Id, Vgs	230mohms à 1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9,2nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	497pF à 50V, 717pF à 50V
Puissance - Max.	1,8W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SO
Numéro de produit de base	ZXMC10