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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
GE12090CDA3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 4014-GE12090CDA3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | GE12090CDA3 |
Description | MOSFET 2N-CH 1200V 875A MODULE |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 875A 2 350W Montage sur châssis Module |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | GE Aerospace | |
Série | * | |
Conditionnement | En vrac | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 2 canaux N (demi-pont) | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 875A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 2,19mohms à 950A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4,5V à 320mA | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 58,6nF à 600V | |
Puissance - Max. | 2 350W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier | Module | |
Boîtier fournisseur | Module |
En stock: 4
PRODUIT MARKETPLACE
Expédition sous environ 10 jours de GE Aerospace
Des frais d'expédition forfaitaires distincts de 17,19 € s'appliqueront
Les informations de code de date seront incluses avec l'envoi de ce produit.
Quantité
Tous les prix sont en EUR
En vrac
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3 686,40000 € | 3 686,40 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 3 686,40000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 4 423,68000 € |
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