



GE12160CEA3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 4014-GE12160CEA3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | GE12160CEA3 |
Description | MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3,75kW Montage sur châssis Module |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | GE Aerospace | |
Série | ||
Conditionnement | En vrac | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 2 canaux N (demi-pont) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 1,425kA (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 1,5mohms à 475A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4,5V à 480mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 3744nC à 18V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 90000pF à 600V | |
Puissance - Max. | 3,75kW | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier | Module | |
Boîtier fournisseur | Module | |
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 7 560,98000 € | 7 560,98 € |
Prix unitaire sans TVA: | 7 560,98000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 9 073,17600 € |