GE12160CEA3
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GE12160CEA3
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GE12160CEA3

Numéro de produit DigiKey
4014-GE12160CEA3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
GE12160CEA3
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 1,425kA (Tc) 3,75kW Montage sur châssis Module
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
GE Aerospace
Série
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
1,425kA (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,5mohms à 475A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 480mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
3744nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
90000pF à 600V
Puissance - Max.
3,75kW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
Module
Numéro de produit de base
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PRODUIT MARKETPLACE
Expédition sous environ 10 jours de GE Aerospace
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Tous les prix sont en EUR
En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
17 560,98000 €7 560,98 €
Prix unitaire sans TVA:7 560,98000 €
Prix unitaire avec TVA:9 073,17600 €