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DF120R12W2H3B27BOMA1
Numéro de produit DigiKey	DF120R12W2H3B27BOMA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	DF120R12W2H3B27BOMA1
Description	IGBT MOD 1200V 50A 180W
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	IGBT Module Inverseur triphasé 1200 V 50 A 180 W Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Modules IGBT
Fabricant	Infineon Technologies
Série	-
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Actif
Type d'IGBT	-
Configuration	Inverseur triphasé
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	50 A
Puissance - Max.	180 W
Vce(on) (max.) à Vge, Ic	2,4V à 15V, 40A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	1 mA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce	2.35 nF @ 25 V
Entrée	Standard
Thermistance CTN	Oui
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	Module
Numéro de produit de base	DF120R12

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Quantité

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Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	40,09000 €	40,09 €
15	28,95867 €	434,38 €
105	28,13133 €	2 953,79 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.