Transistors - IGBT - Modules

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type d'IGBT
Configuration
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
Puissance - Max.
Vce(on) (max.) à Vge, Ic
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
Capacité d'entrée (Cies) à Vce
Entrée
Thermistance CTN
Température de fonctionnement
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
0
En stock
164
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 78,58000 €
Plateau
4 : 69,87000 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
600 V
260 A
680 W
1,9V à 15V, 200A
5 mA
-
Standard
Non
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
0
En stock
696
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 40,09000 €
Plateau
9 : 33,33111 €
En vrac
-
En vrac
Plateau
Actif
-
Inverseur triphasé
1200 V
50 A
180 W
2,4V à 15V, 40A
1 mA
2.35 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 150°C
Montage sur châssis
Module
Module
FF150R12KE3GB2HOSA1
FF150R12KE3GB2HOSA1
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Infineon Technologies
0
En stock
190
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 83,34000 €
Plateau
4 : 74,97500 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Onduleur en demi-pont
1200 V
225 A
780 W
2,15V à 15V, 150A
5 mA
11 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 125°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
0
En stock
49
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 84,31000 €
Plateau
4 : 82,25750 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
50 A
280 W
2,15V à 15V, 50A
1 mA
2.8 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 150°C
Montage sur châssis
Module
Module
0
En stock
205
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 85,55000 €
Plateau
4 : 77,36250 €
En vrac
-
En vrac
Plateau
Actif
-
Simple
1200 V
-
1040 W
2,15V à 15V, 200A
5 mA
14 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 125°C
Montage sur châssis
Module
Module
0
En stock
47
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 109,90000 €
Plateau
3 : 112,79000 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
100 A
515 W
2,1V à 15V, 100A
1 mA
6.3 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 150°C
Montage sur châssis
Module
Module
0
En stock
121
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 162,61000 €
Plateau
2 : 162,49000 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1200 V
600 A
40 W
2,1V à 15V, 600A
3 mA
37 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
0
En stock
570
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 511,27000 €
Plateau
1 : 508,81000 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1700 V
1200 A
-
2,3V à 15V, 1 200A
10 mA
68 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
PrimepackIGBT5
FF1500R12IE5PBPSA1
IGBT MOD 1200V 1500A AGPRIME3+-5
Infineon Technologies
0
En stock
297
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 634,44000 €
Plateau
1 : 631,41000 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Demi- pont
1200 V
1500 A
-
2,15V à 15V, 1,5kA
5 mA
-
Standard
Oui
-40°C ~ 175°C
Montage sur châssis
Module
AG-PRIME3+-5
FZ800R45KL3B5NOSA2
FZ800R45KL3B5NOSA2
IGBT MOD 4500V 1600A 9000W
Infineon Technologies
0
En stock
47
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 1 287,02000 €
Plateau
1 : 1 386,24000 €
En vrac
-
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Double, parallèle
4500 V
1600 A
9000 W
2,85V à 15V, 800A
5 mA
3.1 nF @ 25 V
Standard
Non
-50°C ~ 125°C
Montage sur châssis
Module
Module
0
En stock
553
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 27,83000 €
Plateau
14 : 19,56643 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
25 A
-
1,6V à 15V, 25A
5.6 µA
4.77 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
AG-EASY1B
0
En stock
695
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 31,20000 €
Plateau
12 : 24,42167 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
12 A
94 W
2,25V à 15V, 6A
1 mA
600 pF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 150°C
Montage sur châssis
Module
Module
0
En stock
505
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 35,80000 €
Plateau
10 : 26,77600 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
20 A
-
2,25V à 15V, 10A
1 mA
600 pF @ 25 V
Pont redresseur triphasé
Oui
-40°C ~ 150°C
Montage sur châssis
Module
Module
0
En stock
235
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 40,37000 €
Plateau
9 : 31,06333 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
15 A
-
-
3 µA
2.82 nF @ 25 V
Pont redresseur triphasé
Oui
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
AG-EASY1B
0
En stock
150
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 59,65000 €
Plateau
6 : 50,08833 €
En vrac
*
En vrac
Plateau
Actif
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
En stock
3 352
Marketplace
1 : 75,63000 €
Plateau
5 : 52,73600 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
650 V
50 A
-
1,8V à 15V, 50A
1 mA
3.1 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
Module
FS100R12W2T7BOMA1
FS100R12W2T7BOMA1
LOW POWER EASY AG-EASY2B-1
Infineon Technologies
0
En stock
471
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 76,53000 €
Plateau
5 : 54,29000 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
70 A
-
-
9 µA
21.7 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
AG-EASY2B
0
En stock
576
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 82,33000 €
Plateau
4 : 73,88250 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
2 indépendantes
650 V
300 A
-
1,95V à 15V, 300A
1 mA
18.5 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
AG-ECONOD-3
7
En stock
203
Marketplace
1 : 101,97000 €
Plateau
4 : 81,79250 €
En vrac
-
En vrac
Plateau
Actif
-
Inverseur triphasé
1200 V
55 A
210 W
2,3V à 15V, 401A
5 mA
2.5 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 125°C
Montage sur châssis
Module
Module
0
En stock
117
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 84,31000 €
Plateau
4 : 82,25750 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
50 A
280 W
2,15V à 15V, 50A
1 mA
2.8 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 150°C
Montage sur châssis
Module
Module
0
En stock
38
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 88,47000 €
Plateau
4 : 80,52500 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0
En stock
220
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 93,66000 €
Plateau
3 : 86,18000 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
2 indépendantes
650 V
450 A
-
1,95V à 15V, 450A
1 mA
27.5 nF @ 25 V
Standard
Oui
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
AG-ECONOD-3
0
En stock
277
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 100,22000 €
Plateau
3 : 93,42333 €
En vrac
En vrac
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur triphasé
1200 V
100 A
-
-
1 mA
21.7 nF @ 25 V
Pont redresseur triphasé
Oui
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
AG-EASY3B
62mmFF1682170244
FF300R12KT3HOSA1
IGBT MOD 1200V 480A 1450W
Infineon Technologies
0
En stock
186
Marketplace
1 : 115,72000 €
Plateau
3 : 119,89667 €
En vrac
En vrac
Plateau
Pas pour les nouvelles conceptions
À tranchées à champ limité
2 indépendantes
1200 V
480 A
1450 W
2,15V à 15V, 300A
5 mA
21 nF @ 25 V
Standard
Non
-40°C ~ 125°C
Montage sur châssis
Module
Module
NXH400N100H4Q2F2PG
NXH400N100H4Q2F2PG
MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
onsemi
31
En stock
108
Usine
1 : 170,76000 €
Plateau
-
Plateau
Actif
À tranchées à champ limité
Inverseur trois niveaux
1000 V
409 A
959 W
2,3V à 15V, 400A
500 µA
26.093 nF @ 20 V
Standard
Oui
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montage sur châssis
Module
42-PIM/Q2PACK (93x47)
Affichage de
sur 2 746

Transistors - IGBT - Modules

Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) sont des dispositifs de puissance à semi-conducteurs à trois bornes principalement utilisés en tant que commutateurs électroniques qui combinent un haut rendement et une commutation rapide. En tant que modules, les IGBT sont configurés en ponts asymétriques, dispositifs de découpage élévateurs, abaisseurs et de freinage, pont complet, onduleurs triphasés et à trois niveaux. Certains présentent des thermistances CTN intégrées pour la surveillance de la température. Les modules IGBT se caractérisent par la puissance maximum, le courant collecteur, la tension de claquage de collecteur-émetteur et la configuration.